Les semi-conducteurs III-V

Table des matières

Remerciements
Dédicace
Table des matières
Liste des tableaux
Liste des figures
Introduction Générale
Chapitre I
Introduction
I.1-Présentation des matériaux III-V
I.2-Structure cristalline
I.3-Réseau réciproque et zone de Brillouin
I.4-Structure des bandes d’énergie
I.4.1-Influence de la température sur la structure de bande
I.4.2-Notion de la masse effective
I.4.3-Notion du coefficient de non-parabolicité
I.5-Variation des paramètres d’alliage en fonction du coefficient stoechiométrique x
I.5.1-Variation linéaire des paramètres en fonction du coefficient x
I.5.2-Variation non linéaire des paramètres en fonction du coefficient x
I.6-Principaux paramètres utilisés dans la simulation Monte Carlo
Conclusion
Chapitre II
Introduction
II.1-Phénomènes de transport dans les semi-conducteurs
II.2-Généralités sur l’équation de Boltzmann
II.2.1-Les différents types de collisions
II.2.1.1-Interactions avec le réseau cristallin
II.2.1.2-Interactions avec les porteurs
II.2.1.3-Interactions avec les impureté
II.2.1.4-Interactions avec les alliages
II.2.2-Libre parcours moyen élastique et inélastique
II.2.3-Equation de Boltzmann
II.3-Différents régimes de transport électronique
II.3.1-Transport dans le régime balistique
II.3.2- Transport dans le régime stationnaire
II.3.3- Transport dans le régime non-stationnaire
II.4-Mécanismes d’interactions
II.4.1-Interactions élastiques
II.4.1.1-Interactions acoustiques
II.4.1.2- Interactions piézoélectriques
II.4.1.3-Interactions avec les impuretés ionisées
II.4.1.4-Interactions avec les alliages
II.4.2.1-Interactions inter-vallées
II.4.2.1.1-Interactions inter-vallées équivalentes
II.4.2.2-Interactions optiques
II.4.2.2.1-Interactions avec un phonon optique polaire
II.4.2.2.2-Interactions avec un phonon optique non polaire
II.5-Interactions prépondérantes dans les semi-conducteurs
II.5.1-Champ électrique faible
II.5.2-Champ électrique moyen
II.5.3-Champ électrique fort
II.5.4-Champ électrique très fort
Conclusion
Chapitre III
Introduction
III.1-Historique de la méthode
III.2-Principe de la méthode
III.3-Equation de mouvement
III.4-Temps de vol libre
III.5-Choix du type de l’interaction
III.6-Angle de déviation
III.7-Mise en oeuvre de la simulation
III.8-Description du logiciel
Conclusion
Chapitre IV
Introduction
IV.1-Propriétés de transport dans les matériaux III-V
IV.2- Model de simulation
IV.3-Résultats de la simulation
IV.3.1-Différents types d’interactions
IV.3.1.1-Interactions élastiques
IV.3.1.1.1-Interactions acoustiques
IV.3.1.2-Interactions inélastiques
IV.3.1.2.2-Interactions intra-vallées
IV.3.1.2.3-Interactions optiques polaires
IV.3.1.3-Influence de la température sur les interactions
IV.3.2-Caractéristiques du transport dans les différents régimes
IV.3.2.1-Caractéristiques du transport en régime stationnaire
IV.3.2.1.1-Caractéristique Vitesse-champ électrique
IV.3.2.1.2-Influence de la température sur la caractéristique Vitesse-champ électrique
IV.3.2.1.3-Taux d’occupations d’électrons
IV.3.2.2-Caractéristiques du transport en régime non stationnaire
IV.3.2.2.1-Vitesse en fonction du temps
IV.3.2.2.2-Vitesse en fonction du temps pour différent champs électriques
IV.3.2.2.3-Vitesse en fonction du temps pour différent températures
Conclusion
Conclusion Générale
Références bibliographiques