Télécharger le fichier pdf d’un mémoire de fin d’études
Les convertisseurs VHF
Dans cette partie nous détaillons les différentes topologies VHF. L’explication de chaque structure est suivie d’un exemple de dimensionnement et d’une simulation.
Convertisseur de classe E
Le schéma de l’onduleur classe E est illustré Figure 2-6. L’onduleur est constitué d’une inductance de lissage de courant L1, d’une capacité de shunt C1, d’un interrupteur de puissance et d’un circuit résonant L2-C2-Rch en sortie.
L’interrupteur commute à une fréquence f donnée par le gate driver commandant la grille de l’interrupteur (non illustré sur la Figure 2-6). L’interrupteur est passant entre t=0 et t=αT et bloqué entre t=αT et t=T. T désigne la période de découpage et α le rapport cyclique. La Figure 2-7 présente les deux phases de fonctionnement de l’onduleur classe E ainsi que ses principales formes d’ondes. Quand l’interrupteur est fermé (état passant), un courant circule dans ce dernier et de l’énergie est stockée dans l’inductance d’entrée L1 sous forme d’énergie magnétique. Lors de l’ouverture de l’interrupteur (état bloqué), le courant traversant ce dernier devient nul. L’énergie stockée dans l’inductance L1 va charger la capacité C1 et Vds augmente jusqu’à sa valeur maximale. Ensuite, c’est l’inverse, la capacité C1 restitue son énergie à L1, Vds diminue progressivement jusqu’à atteindre une valeur nulle permettant la fermeture de l’interrupteur avec une tension nulle à ses bornes. La charge et décharge de la capacité C1 donne une forme de demi-sinus à la tension Vds. La valeur maximale de ce demi-sinus est 3 à 4 fois plus grande que la valeur de la tension d’entrée Vin.
Convertisseur de classe φ2
L’onduleur de classe φ2 est une variante de l’onduleur de classe E2 [2.1]. Cette topologie a pour but de limiter les inconvénients des onduleurs de classe E et E2 comme la forte contrainte en tension sur l’interrupteur de puissance ou la présence d’une inductance d’entrée de valeur élevée (classe E).
La particularité de cet onduleur est l’utilisation d’un circuit résonant pour réduire la contrainte en tension sur le transistor.
Le schéma de l’onduleur de classe φ2 est présenté sur la Figure 2-16.
Comme pour l’onduleur de classe E, l’onduleur de classe φ2 présente deux phases de fonctionnement : interrupteur passant et interrupteur bloqué. Quand le transistor est fermé (ON), de l’énergie magnétique s’accumule dans l’inductance d’entrée Lf. Un courant circule également dans la branche Lmr-Cmr au double de la fréquence de commutation de l’interrupteur car cette branche Lmr-Cmr est dimensionnée pour résonner sur le second harmonique de la fréquence de commande. Quand le transistor se bloque (OFF), l’énergie accumulée dans Lf va alimenter la résonance de Lf avec Cf. Une tension Vds apparait aux bornes de l’interrupteur. La forme d’onde de cette tension est définie par l’impédance du circuit vu par l’interrupteur. Le réseau de sortie Ls-Cs agit comme un diviseur d’impédance pour régler la puissance de sortie. La capacité Cs permet aussi de bloquer la composante continue de Vds pour obtenir une tension de sortie alternative centrée sur zéro.
Pour simplifier les calculs de dimensionnement, des hypothèses doivent être faites sur la forme de la tension Vds et sur la puissance transmise à la charge [2.1].
– Hypothèse sur la tension Vds : nous supposons que la tension Vds est une tension carrée de rapport cyclique 0.5, avec une tension moyenne égale à Vin et oscillant entre 0 et 2Vin même si en pratique elle est plutôt de forme trapézoïdale.
– Hypothèse sur la puissance transmise à la charge : nous supposons que la puissance transmise à la charge est une puissance transmise intégralement à la fréquence de commutation de l’interrupteur.
Dans l’exemple donné par la Figure 2-28, le régulateur envoie un signal OFF (arrêt de l’onduleur) quand la tension observée en sortie d’onduleur est plus grande que la tension de référence et un signal ON quand la tension de référence est plus petite que la tension mesurée en sortie d’onduleur.
Ce circuit détecte des perturbations impulsionnelles dans la dérivée de la tension du point milieu (noté dux/dt) et stocke l’information de la perturbation grâce aux capacités Ch1 et Ch2. Cette information est remise à zéro avant chaque commutation (Ch1 remis à zéro pour la commutation de M1 et Ch2 pour la commutation de M2) avec un MOSFET en parallèle de chaque condensateur. Cependant, ce type de détection ne convient pas aux convertisseurs n’utilisant qu’un seul MOSFET, de plus, il nécessite l’utilisation de composants actifs pour le « reset » de l’information de détection à chaque période.
Un autre moyen d’observer le ZVS est de regarder le courant d’entrée.
Comme illustré par la Figure 2-31 [2.23], une résistance de shunt est placée sur l’entrée d’un onduleur φ2 et donne une tension image du courant fourni par l’entrée. Cette tension est ensuite filtrée et comparée à un modèle implémenté dans un microcontrôleur. Ce dernier va modifier le rapport cyclique envoyé au driver du transistor en fonction de l’erreur observée.
Pour la suite, le terme PZT sera utilisé pour désigner les céramiques en titano-zirconate de plomb.
Pour la suite, le terme LNO (version abrégée de LiNbO3) sera utilisé pour désigner le Niobate de Lithium.
Le LNO possède une permittivité diélectrique très réduite par rapport au PZT alors que sa densité de courant J n’est que légèrement plus faible [3.5]. Cela permet d’augmenter le rapport J/(Cω). Ce rapport J/(Cω) est équivalent à une tension maximale de fonctionnement.
Plus la fréquence de fonctionnement est élevée, plus l’épaisseur du piézoélectrique est faible, ce qui conduit à une augmentation de Cω au carré de la fréquence, ce qui réduit d’autant la tension maximale de fonctionnement. Cette tension maximale peut être particulièrement limitative dans le cas du PZT, du fait de sa permittivité élevée. Au contraire, le LNO a une permittivité de l’ordre de 50 fois plus faible, ce qui le rend avantageux pour les très hautes fréquence (>5MHz).
Sa constante fréquentielle (le rapport entre la fréquence de résonance d’un mode de résonance et de la longueur caractéristique de ce mode) est plus élevée que celle du PZT [3.5]- [3.6], donc, pour une même épaisseur de matériau, le LNO aura une fréquence de résonance en mode épaisseur plus élevée que le PZT. De plus, il possède une constante diélectrique très inférieure par rapport au PZT [3.5]- [3.6] qui permet d’obtenir une capacité externe C0 très petite en valeur (constante diélectrique de 28.7 pour le LNO contre 1470 pour le PZT).
Le résonateur aura donc une épaisseur de 150µm pour 1cm² de surface utile, le convertisseur est dimensionné en fonction des caractéristiques de ce résonateur.
L’épaisseur permet de déterminer la fréquence de résonance en mode épaisseur du résonateur grâce à l’équation (9).
Pour une épaisseur de 150µm et une constante fréquentielle de 3.3Hz.mm [3.7], le filtre piézoélectrique résonne à 22MHz.
|
Table des matières
Remerciements
Table des matières
Chapitre 1 : Introduction
1.1 La conversion de puissance
1.2 Le résonateur piézoélectrique
1.2.1 Présentation générale
1.2.2 Modèle électrique équivalent d’un piézoélectrique
1.2.3 Utilisation de la piézoélectricité dans la conversion de puissance
1.3 Objectif de la thèse
1.4 Bibliographie du chapitre 1
Chapitre 2 : La conversion de puissance HF-VHF
2.1 Intérêts de la montée en fréquence
2.2 Inconvénients de la montée en fréquence
2.2.1 Les pertes par commutation
2.2.2 Les pertes magnétiques
2.2.2.1 L’effet de peau
2.2.2.2 Les pertes fer
2.2.3 Les temps morts
2.3 Les convertisseurs VHF
2.3.1 Convertisseur de classe E
2.3.2 Convertisseur de classe E2
2.3.3 Convertisseur de classe φ2
2.3.4 La classe L-Piézo
2.3.5 Tableau récapitulatif des topologies présentées
2.4 Régulation des convertisseurs VHF
2.4.1 Contrôle tout ou rien
2.4.2 Contrôle de la commutation douce
2.5 Conclusion du chapitre 2
2.6 Bibliographie du chapitre 2
Chapitre 3 : Etude de l’onduleur L-Piézo, un résonateur piézoélectrique en filtre de puissance
3.1 Les matériaux piézoélectriques
3.1.1 Le titano-zirconate de plomb (PZT)
3.1.2 Le niobate de lithium (LNO)
3.1.3 Etude de la densité de courant
3.2 Validation en moyenne fréquence : utilisation du PZT
3.2.1 Caractérisation du résonateur PZT
3.2.2 Simulation
3.2.3 Maquette
3.2.4 Comparaison filtre LC/PZT
3.3 Validation en haute fréquence : utilisation du LNO
3.3.1 Dimensionnement
3.3.2 Préparation des résonateurs
3.3.3 Simulation
3.3.4 Intégration du résonateur au PCB
3.3.5 Maquette
3.3.6 Comparaison filtre LC/LNO
3.3.7 Répartition des pertes
3.4 Conclusion du chapitre 3
3.5 Bibliographie du chapitre 3
Chapitre 4 : L’onduleur classe L-Piézo : sensibilité
4.1 Sensibilité aux tolérances des composants passifs
4.1.1 Le résonateur piézoélectrique
4.1.2 Les autres composants passifs
4.1.3 Tolérance mixte
4.2 Sensibilité aux variations de tension d’entrée
4.3 Sensibilité aux variations de puissance de sortie
4.4 Conclusion du chapitre 4
4.5 Bibliographie du chapitre 4
Chapitre 5 : Correction du ZVS et régulation de tension de sortie
5.1 Correction de ZVS
5.1.1 Correction par le rapport cyclique
5.1.2 Détection de la perte de ZVS
5.1.3 Fonction de transfert en boucle ouverte (FTBO)
5.1.4 Calcul du correcteur PI
5.1.5 Boucle de régulation
5.1.6 Simulation de la correction de ZVS
5.1.7 Mesures expérimentales
5.1.8 Rendement
5.1.9 Distribution des pertes
5.1.10 Suite et perspectives de correction du ZVS
5.2 Régulation de la tension de sortie
5.2.1 Redresseur VHF
5.2.2 Adaptateur d’impédance
5.2.3 Variation d’impédance
5.2.4 Simulation
5.2.5 Variation de la tension d’entrée
5.2.6 Suite et perspectives de la régulation de tension de sortie
5.3 Conclusion du chapitre 5
5.4 Bibliographie du chapitre 5
Chapitre 6 : Conclusion et perspectives
6.1 Résumé et bilan
6.2 Perspectives futures
Publications
Télécharger le rapport complet
