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Techniques de collages ne nécessitant pas d’ajout de matière
Les techniques de collage ne nécessitant pas de couche intermédiaires sont le collage anodique et le collage direct.
Le collage anodique, aussi appelé collage électrostatique, a été mentionné pour la première fois en 1969 par Wallis [1.1]. Ce procédé est très utilisé pour coller un substrat de verre avec un substrat de silicium [1.2], et ce pour des applications en électronique ou en micro-fluidique. Cette méthode repose sur l’utilisation d’une forte tension appliquée aux substrats à coller par l’intermédiaire d’électrodes. Ce potentiel électrique va créer un champ électrique responsable de la dissociation des molécules d’oxydes de sodium (Na2O) contenues dans le verre. Les ions sodium Na+ migrent vers la face arrière du substrat de verre créant ainsi une zone de déplétion au niveau de l’interface de collage. La forte intensité du champ électrique dans cette zone de déplétion force les ions O2- à migrer vers l’interface de collage entre le silicium et le verre. Ces ions réagissent avec le silicium ce qui aboutit à la création d’un film d’oxyde de silicium. Les deux substrats mis en contact sont alors intimement liés. L’utilisation conjointe d’un traitement thermique pouvant monter jusqu’à 500°C permet d’augmenter la mobilité des anions dans le verre. Par ailleurs, les matériaux à coller doivent également avoir des cœfficients d’expansion thermique assez proches.
Le collage anodique permet également d’assembler au verre des substrats de diverses natures autres que le silicium, comme par exemple du verre [1.3], des métaux ou d’autres matériaux monocristallins [1.4].
Le collage direct consiste à mettre en contact deux surfaces sans compression et sans ajout de matière. L’adhésion entre les deux plaques se fait par l’intermédiaire de liaisons moléculaires (forces de van der Waals ou liaisons hydrogène). Les forces d’attraction qui s’établissent à l’interface permettent d’avoir un seul objet qui évolue vers des liaisons fortes comme par exemple des liaisons covalentes. L’assemblage de substrats par collage direct suppose le respect de critères morphologiques de surface et de propreté stricts. Ces paramètres sont détaillés dans le paragraphe suivant. Ainsi la mise ne œuvre d’un tel collage nécessite une préparation de surface adéquate.
Le matériau le plus étudié dans le cadre du collage direct est le silicium, pour ses propriétés spécifiques de semi-conducteur [1.5]. Dans le domaine de la microélectronique, l’assemblage par collage direct concerne également de nombreux autres matériaux cristallins tels que par exemple le germanium, le quartz ou le saphir. L’assemblage de substrats non-cristallins comme par exemple l’oxyde de silicium [1.6] ou des couches métalliques comme le cuivre, via une couche d’oxyde, a également été étudié [1.7]. Des substrats de nature différente peuvent également être assemblés. Dans ce cas les coefficients de dilatation thermique des substrats doivent être pris en considération sous peine de rupture de la structure lors de l’application de traitements thermiques utilisés par exemple pour renforcer l’énergie de collage.
Techniques de collage de couches métalliques
Nous allons maintenant aborder le cas de collage de couches métalliques. L’utilisation de couches métalliques permet d’élaborer des interfaces conductrices. Pour cela deux techniques peuvent être employées, en plus du collage direct : la thermocompression et le collage eutectique. Le collage direct de couches métalliques est basé sur l’établissement de liaisons métalliques.
Pour réaliser un collage par thermocompression, il est tout d’abord nécessaire de déposer une couche de métal identique sur chacun des substrats à assembler. Ce dépôt peut être réalisé par évaporation, pulvérisation ou encore par voie électrochimique. Des couches d’autres matériaux servant à faciliter l’accroche du métal ou ayant la fonction de barrière de diffusion sont très souvent utilisées sous la couche de métal. Les deux surfaces métalliques ainsi préparées sont ensuite mises en contact sous thermocompression : un traitement thermique et une compression mécanique sont utilisés conjointement pour assembler les deux substrats.
La thermocompression provoque alors des phénomènes de diffusion des atomes métalliques au niveau de l’interface de collage et des joints de grains des couches métallique. Les deux substrats mis en contact sont alors liés de façon permanente. L’usage d’une force de compression lors de l’assemblage permet d’augmenter la surface de contact des couches et la température permet de favoriser la diffusion des atomes métalliques.
Les métaux les plus utilisés sont de nature plutôt ductile comme par exemple l’or, l’aluminium ou le cuivre [1.8]. Les températures optimum de collage sont comprises dans la gamme allant de 300°C à 500°C et les pressions mécaniques appliquées de quelques centaines de MPa.
La seconde technique d’assemblage de couche métallique est le collage eutectique [1.9]. Un alliage en proportion eutectique est déposé sur les deux substrats à assembler. Lors de leur mise en contact, un traitement thermique à la température d’eutectique entraîne la fusion des deux couches d’alliage. Lors du retour à la température ambiante, l’interphase créée revient à l’état solide. Le recours à un alliage en proportion eutectique permet de baisser le point de fusion de cet alliage à une température typiquement comprise entre 150°C et 400°C. Les alliages les plus couramment utilisés sont Au-Sn, Au-In et Au-Si [1.10].
Technique de collage nécessitant une couche intermédiaire
Cette technique est connue sous le nom de collage adhésif. L’utilisation d’une couche adhésive de type polymère ou résine permet d’assembler entre eux une grande variété de matériaux (silicium, verre, métaux, polymères…).
Il existe un grand nombre de polymères permettant de faire du collage adhésif. Le BCB (Benzocyclobutene) est un des polymères les plus utilisés en microélectronique notamment pour l’encapsulation de MEMS [1.11].
L’herméticité de l’assemblage réalisé par collage adhésif n’est pas totale et cela peut être un inconvénient pour certaines applications. De même, la distance entre les deux substrats à coller peut être difficile à maîtriser avec cette méthode.
Nous avons ainsi décrit quelques unes des techniques de collages les plus utilisées dans le domaine de la microélectronique et des microtechnologies. Pour cette étude, nous avons eu recours au collage direct de silicium et d’oxyde de silicium. Nous allons maintenant aller plus loin dans la description de cette méthode d’assemblage en nous intéressant aux forces mises en jeu lors d’un collage direct.
Les forces mises en oeuvre lors du collage direct
Le phénomène de collage direct intervient lorsque deux surfaces lisses, propres et sans particule sont rapprochées. Les forces attractives entre les deux surfaces deviennent alors assez grandes pour les attirer l’une vers l’autre.
A température ambiante, l’adhésion entre les deux surfaces collées est due majoritairement aux forces de van der Waals, liaisons hydrogènes et forces de capillarité. Un phénomène de capillarité apparaît dès lors qu’une couche d’eau avec un ménisque est enfermée entre les deux surfaces. Cette capillarité peut permettre aux plaques de glisser facilement l’une sur l’autre mais il est difficile de les séparer en effectuant une traction sur les faces arrière. Lorsque l’eau s’échappe, les surfaces se rapprochent et les forces de van der Waals s’exercent.
Le collage direct peut également être défini selon l’affinité des surfaces mises en contact avec les molécules d’eau : nous parlerons ainsi de collage hydrophobe ou hydrophile. Les collages hydrophobes mettent en jeu des surfaces ayant peu d’affinité avec l’eau. A l’inverse, une surface hydrophile a une grande affinité avec l’eau et est recouverte par un film d’eau dès sa mise à l’air atmosphérique dans un environnement de salle blanche avec un taux d’humidité de 40%.
Le collage hydrophobe consiste en la mise en contact de deux surfaces recouvertes majoritairement par des liaisons Si-H, dans le cas de surfaces de silicium. Ces surfaces sont habituellement obtenues par un rinçage à l’acide fluorhydrique (HF) mais peuvent aussi être obtenues par un recuit à haute température sous flux de dihydrogène (H2). Ces différentes méthodes de préparation seront plus longuement exposées dans le chapitre 3.
Le collage hydrophile est basé sur la mise en contact de deux surfaces de silicium recouvertes par des groupements silanols Si-OH. Ces surfaces peuvent être par exemple obtenues après un nettoyage laissant les surfaces recouvertes par un film très fin (<1nm) d’oxyde de silicium, appelé oxyde natif. Il est également possible de rendre une surface hydrophile avec des traitements secs comme des plasmas (d’oxygène, d’azote) ou des traitements sous rayonnement UV en présence d’ozone gazeux [1.12].
Après la mise en contact à température ambiante, l’énergie de collage est généralement faible, le collage est dans ce cas réversible, c’est-à-dire que les deux plaques peuvent être séparées en exerçant une action mécanique (insertion d’une lame par exemple). Ainsi les énergies de surfaces sont de l’ordre de quelques dizaines de mJ/m² pour les collages hydrophobes et de l’ordre de 0.1-0.2 J/m² pour les collages hydrophiles. Ces différences en énergie s’expliquent par des différences dans le type de liaisons créées à l’interface de collage. En effet, les forces mises en jeu lors de collage hydrophobe sont principalement des forces de van der Waals. Ces forces attractives sont le résultat de l’ensemble des forces liées aux interactions électroniques entre les atomes ou molécules de deux corps. L’énergie d’adhésion W relative à deux surfaces attirées par des forces de type van der Waals, et séparées par une distance D peut être exprimée de la façon suivante [1.13] .
La constante d’Hamaker A123 dépend de la nature des matériaux (1 et 3) et du milieu (2) les séparant. Les valeurs des constantes d’Hamaker sont répertoriées dans la littérature.
Par exemple dans le cas d’un collage hydrophobe de surfaces de silicium séparées par une couche d’air, la constante de Hamaker est de 21.10-20 J (Si/air/Si) [1.13].
Dans le cas de collage hydrophile, un autre type de liaison est mis en jeu : la liaison hydrogène. Cette liaison est plus énergétique que les forces de van der Waals, ce qui explique la grande différence d’énergie de collage mesurée juste après collage pour des structures hydrophiles. La liaison hydrogène, impliquant des molécules polarisées, est créée par interaction d’un atome d’hydrogène à un atome fortement électronégatif tel que le fluor, l’oxygène ou encore l’azote. Pour renforcer l’énergie de collage, voire même rendre le scellement irréversible, les liaisons à faible énergie doivent être entièrement remplacées par des liaisons à forte énergie, de type covalentes, à l’aide de traitements thermiques. En effet, l’énergie thermique favorise la diffusion d’espèces, casse certaines molécules et permet l’activation de certaines réactions chimiques. L’évolution en température de l’énergie de surface d’un collage hydrophile ou hydrophobe est présentée en Figure 1.1 pour un collage SiO2-SiO2 et Si-Si respectivement. Le temps de recuit est fixé à deux heures. L’évolution de l’énergie de surface est très différente selon la nature hydrophobe ou hydrophile du collage. Les études précédentes menées au laboratoire, révèlent au travers de l’énergie de collage, une évolution de l’interface de collage en fonction de la température de recuit [1.14], [1.15], [1.16].
Les techniques de caractérisation utilisées dans cette étude
Le but de ce chapitre est de présenter les différents outils de caractérisation utilisés dans cette étude. Il s’agit de rappeler en quelques mots leur principe général de fonctionnement, et de mettre en évidence les paramètres pertinents dans l’étude du collage. Ce chapitre s’articule en deux parties.
Dans une première partie, les différents outils de caractérisation de surface sont présentés. Ces techniques de caractérisation utilisées sur des surfaces avant collage permettent de connaître par exemple l’affinité de la surface avec l’eau, la microrugosité…
Dans la seconde partie, les outils permettant de caractériser des structures collées sont décrits. Ces différentes techniques de caractérisation permettent de connaître par exemple l’énergie de collage, la défectivité des collages, les espèces chimiques présentes à l’interface de collage, les profils de densité électronique à travers l’interface.
Caractérisation de surface (avant collage)
Les différents traitements appliqués à la surface avant collage peuvent modifier la structure chimique et morphologique du matériau. Ces modifications peuvent avoir un effet direct sur les mécanismes de fermeture d’interface, il est donc nécessaire de caractériser précisément l’état de surface avant collage. La première technique est la mesure d’angle de contact qui permet d’évaluer la mouillabilité d’une surface. La caractérisation de la microrugosité de la surface par microscope à force atomique sera ensuite brièvement décrite. La topographie de la surface de silicium reconstruit a également été caractérisée par microscopie à effet tunnel. La dernière technique de caractérisation décrite est la spectroscopie infrarouge à transformée de Fourier en mode transmission.
Caractérisation de la mouillabilité des surfaces : l’angle de contact
L’angle de contact est une technique qui permet de quantifier la mouillabilité d’une surface par une goutte d’eau. Elle permet d’en déduire le type de collage (hydrophile ou hydrophobe) et ainsi de caractériser le type de liaisons chimiques présentes à l’interface de collage.
La méthode couramment utilisée pour la détermination de la mouillabilité d’une surface est la mesure de l’angle que fait une goutte d’eau déposée sur cette même surface. Pour être dans des conditions optimales de mesures, la surface doit être plane, peu rugueuse et chimiquement homogène. L’angle de contact à l’équilibre, θ, est relié aux tensions superficielles solide-gaz γSG, liquide-solide γLS et liquide-gaz γLG (cf. Figure 2.1) par l’équation de Young [2.1] qui s’exprime de la façon suivante : 32 SG LS LG cos γLG θ γSG γLS
Si la goutte d’eau ne s’étale pas, cela signifie que la surface est hydrophobe, l’angle de contact est alors élevé. Suite à un nettoyage HF, la valeur de l’angle de contact est de 80°. Plus l’angle de contact est faible plus la surface est hydrophile [2.2], [2.3].
Le dispositif expérimental comprend une seringue qui distribue de faibles volumes d’eau (quelques µL) et une caméra qui permet de prendre en photo la goutte d’eau sur la surface. La mesure de l’angle se fait directement sur la photo à l’aide d’un logiciel de traitement d’image. Dans le cas d’une surface très hydrophile, la goutte s’étale très rapidement sur la surface et l’angle de contact est alors très faible. Il devient difficile dans ce cas de mesurer l’angle de contact.
Cette mesure est réalisée sur des plaques témoins, c’est-à-dire qu’elles ont suivi le même procédé de préparation de surface mais elles ne seront pas collées. Les surfaces hydrophobes ne sont pas stables dans le temps, elles s’oxydent. Dans ce cas, il est donc nécessaire d’enchaîner cette caractérisation rapidement après la préparation des surfaces.
Caractérisation de la microrugosité de surface : microscope à force atomique (AFM)
Nous avons vu dans le premier chapitre que la microrugosité de surface joue un rôle primordial dans l’adhésion de deux surfaces. La technique la mieux adaptée pour la mesurer est la microscopie à force atomique qui permet d’obtenir des informations sur la topographie de la surface. Ici, c’est la force entre les atomes d’une pointe, la plus fine possible, et les atomes de la surface qui est utilisée comme une sonde locale pour caractériser cette dernière.
Pour cette étude, seul le mode « tapping » a été utilisé. Pour ce mode, le cantilever au bout duquel se trouve la pointe de l’AFM, oscille en permanence à une certaine fréquence (environ 300 kHz) fixée au départ au voisinage de la fréquence de résonance du cantilever. Ce sont les variations d’amplitude des oscillations de la pointe, lorsque celle-ci approche de la surface, qui sont utilisées pour contrôler la distance pointe – surface. En asservissant le déplacement du levier à cette variation d’amplitude, le relief de la surface peut être déterminé.
Lors d’une mesure AFM, la valeur de rugosité considérée est la valeur RMS (pour
Root Mean Square) qui est la racine carrée moyenne des écarts par rapport au plan moyen :
N : nombre de points mesurés 1N
∑Zi2 Zi : hauteur par rapport au plan moyen de la N i1surfac.
L’AFM utilisé pour cette étude n’est pas dans un environnement salle blanche mais c’est le seul avec lequel il a été possible d’observer les terrasses sur les surfaces hydrophobes reconstruites (cf. chapitre 4). Ainsi pour préserver les surfaces hydrophobes, les observations ont été faites sur des substrats préalablement collés et décollés juste avant l’observation. Ces collages n’ont pas été recuits, l’énergie de collage reste faible et la surface n’est pas endommagée par des arrachements. Pour de telles surfaces, il a été possible de faire des mesures de rugosité ainsi que d’observer la présence de terrasses (cf. chapitre 4).
Caractérisation de la topologie de surface : microscope à effet tunnel (STM)
Le STM (Scanning Tunneling Microscopy) est une seconde technique de caractérisation permettant de caractériser la topographie d’une surface. Elle est basée sur le balayage sans contact d’une pointe extrêmement fine au-dessus d’une surface, tout comme l’AFM. Ici, c’est la mesure et l’asservissement sur un courant tunnel entre la pointe et la surface qui est utilisée pour caractériser la surface.
D’un point de vue pratique, il est nécessaire de disposer d’une pointe métallique avec un rayon de courbure suffisamment faible (entre 20 et 100nm). Le courant tunnel peut ainsi se localiser en un seul endroit de la pointe. La surface à caractériser doit aussi être conductrice pour que le courant puisse s’établir. Lorsque la pointe est très proche la surface, les deux matériaux conducteurs sont séparés par une barrière de potentiel formée par le vide qui les sépare. Avec l’application d’une tension, un courant tunnel peut alors traverser la barrière en transportant des charges d’une surface conductrice à l’autre. Une fois établi, ce courant tunnel va être un outil de contrôle extrêmement précis de la distance pointe – surface. Son intensité varie en effet exponentiellement avec l’épaisseur de la barrière de potentiel : s p I eVs p e 2 2m z H2
m et e : la masse et la charge de l’électron
ΔV : potentiel appliqué entre la pointe et la surface
ρs, ρp : les densités d’états de la surface et de la pointe
ϕs, ϕp : les travaux de sortie pour les électrons de la surface et de la pointe
z : distance pointe – surface
Cette formule est valable si on suppose les densités d’états constantes autour de l’énergie de Fermi, et si le produit |eΔV| est très inférieur aux travaux de sortie ϕs et ϕp. La mesure des variations du courant, à ΔV fixé, nous renseigne sur les variations de la distance pointe-surface lors du balayage de cette dernière. Si la pointe est à une altitude constante, nous aurons alors accès à la topographie de la surface. Cependant, pour ne pas perdre le courant tunnel ou ne pas toucher la surface avec la pointe, il faut garder la distance pointe-surface constante. En chaque point du balayage, cette distance est alors ajustée pour revenir à une valeur de consigne et ainsi garder l’intensité du courant tunnel constante. Ce sont les enregistrements de ces déplacements verticaux de la pointe pendant le balayage qui vont donner les variations de hauteur de la surface. Il est ainsi possible de reconstruire, point par point, la topographie de la surface balayée.
Toutefois, ce n’est pas exactement la topographie de la surface que nous allons mesurer ainsi. En effet, d’après la formule ci-dessus, les variations de courant ne dépendent que des variations de la distance pointe-surface à condition que les travaux de sortie de la pointe et de la surface soient constants. Si la densité électronique de surface change avec la présence d’un défaut, d’un précipité ou d’un atome de dopant par exemple, le travail de sortie va être localement modifié et l’intensité du courant va changer bien que la distance pointe-surface soit restée constante. Cela peut conduire à des artefacts dans la description topographique d’une surface.
Caractérisation infrarouge des liaisons chimiques de surface : Spectroscopie infrarouge en transmission
La spectroscopie infrarouge en transmission permet d’analyser les liaisons chimiques présentes en surface d’un matériau. Cette technique de caractérisation a été employée pour l’analyse des liaisons chimiques en surface d’une couche d’oxyde déposée.
Le principe de la spectroscopie FTIR en mode transmission est basé sur la mesure de l’absorption de lumière provenant d’un rayon infrarouge par la couche de matériau étudiée. L’analyse consiste alors à envoyer un faisceau IR à travers l’échantillon à analyser puis à collecter le signal transmis. Sous l’excitation du rayon lumineux, les liaisons chimiques qui le composent vibrent et rentrent en résonance à des longueurs d’onde (fréquence ou énergie) qui leur sont propres. L’énergie absorbée par la vibration correspond à une bande d’absorption caractéristique de la liaison chimique et de son environnement. Un schéma de principe est proposé en Figure 2.2. Un faisceau IR d’une intensité connue est envoyé sur un séparateur de rayon (interféromètre de Michelson). Le signal est ensuite modulé par un système composé de miroirs fixes et mobiles. La configuration permet d’obtenir des nombres d’onde compris entre 400 et 4000 cm-1 correspondant à des longueurs d’onde comprises entre 2.5 et 25µm. L’interférogramme ainsi obtenu est ensuite converti en spectre à l’aide de transformées de Fourier. Il est de coutume de représenter l’amplitude du signal absorbé en fonction du nombre d’onde qui est l’inverse de la longueur d’onde (cm-1).
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Table des matières
Remerciements
Table des matières
Introduction
Chapitre 1 – Présentation du collage direct
1.1 Introduction au collage direct
1.1.1 Définitions et techniques de collage
1.1.1.1 Techniques de collages ne nécessitant pas d’ajout de matière
1.1.1.2 Techniques de collage de couches métalliques
1.1.1.3 Technique de collage nécessitant une couche intermédiaire
1.1.2 Les forces mises en oeuvre lors du collage direct
1.1.3 Prérequis nécessaires au collage direct
1.1.3.1 Morphologie du matériau
1.1.3.2 Propreté de la surface à coller
1.2 Les applications du collage direct
1.3 Contexte de l’étude
Bibliographie
Chapitre 2 – Les techniques de caractérisation utilisées dans cette étude
2.1 Caractérisation de surface (avant collage)
2.1.1 Caractérisation de la mouillabilité des surfaces : l’angle de contact
2.1.2 Caractérisation de la microrugosité de surface : microscope à force atomique (AFM)
2.1.3 Caractérisation de la topologie de surface : microscope à effet tunnel (STM)
2.1.4 Caractérisation infrarouge des liaisons chimiques de surface : Spectroscopie infrarouge en transmission
2.2 Caractérisation des structures collées et interface de collage
2.2.1 Mesure de l’énergie de collage par insertion de lame
2.2.2 Caractérisation acoustique de l’interface de collage : microscope acoustique à balayage (SAM)
2.2.3 Caractérisation infrarouge de l’interface de collage : spectroscopie en mode de réflexion interne multiple (MIR)
2.2.3.1 Principe
2.2.3.2 Méthodologie
2.2.3.3 Exploitation des spectres MIR
2.2.4 Caractérisation par réflexion des rayons X (XRR)
2.2.4.1 Principe
2.2.4.2 Réalisation de la mesure
2.2.4.3 Obtention du profil de densité électronique
2.3 Résumé et conclusion
Chapitre 3 – Réalisation et applications des structures collées
3.1 Préparation des substrats pour les collages hydrophobes
3.1.1 Préparation de collage de substrats type HF-last
3.1.2 Préparation de collage de substrats Si(100)-2×1:H
3.1.3 Applications des collages hydrophobes reconstruits
3.2 Préparation des substrats pour les collages hydrophiles d’oxyde déposé
3.2.1 Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD)
3.2.2 Traitement plasma
3.2.3 Traitement par polissage mécano-chimique
3.2.4 Applications des collages de SiO2 déposé
Bibliographie
Chapitre 4 – Mécanismes mis en jeu dans les collages hydrophobes de silicium reconstruit
4.1 Etat de l’art des collages hydrophobes HF-last
4.2 Cas des structures symétriques
4.2.1 Structures analysées
4.2.2 Evolution de la tenue du collage avec la température
4.2.3 Fermeture de l’interface de collage
4.2.4 Mécanismes
4.2.5 Gestion de l’hydrogène à l’interface
4.2.5.1 Cas des collages hydrophobes HF-last
4.2.5.2 Cas des collages de silicium reconstruit
4.2.6 Résumé et conclusion
4.3 Cas des structures mixtes : hydrophobe reconstruit et HF-last
4.3.1 Structures analysées
4.3.2 Evolution de la tenue du collage avec la température
4.3.3 Fermeture de l’interface de collage
4.3.4 Gestion de l’hydrogène à l’interface
4.3.5 Résumé et conclusions
Bibliographie
Chapitre 5 – Mécanismes mis en jeu dans le collage direct de surfaces hydrophiles d’oxydes de silicium déposés
5.1 Etat de l’art des collages hydrophiles SiO2-SiO2 thermiques
5.2 Cas du vieillissement des oxydes déposés avant collage
5.3 Cas des oxydes dont la surface est activée par plasma
5.3.1 Structures analysées
5.3.2 Evolution de la tenue du collage avec la température
5.3.3 Gestion de l’eau à l’interface
5.3.4 Fermeture de l’interface de collage
5.3.5 Bilan de la préparation par plasma
5.4 Cas des oxydes préparés par CMP
5.4.1 Structures analysées
5.4.2 Evolution de la tenue du collage avec la température
5.4.3 Cas d’un oxyde fin
5.4.3.1 Gestion de l’eau à l’interface de collage
5.4.3.2 Fermeture de l’interface de collage
5.4.3.3 Bilan
5.4.4 Cas d’un oxyde épais
5.4.4.1 Gestion de l’eau à l’interface de collage
5.4.4.2 Fermeture de l’interface de collage
5.4.5 Bilan
5.5 Conclusion
Bibliographie
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