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CAPTEURS A TRANSDUCTION ELECTROMAGNETIQUE:
Les capteurs passifs à transduction EM transforment la variation de la quantité physique détectée (comme la pression, la température, une contrainte ou le gaz…) en une variation connue et spécifique de la description de l’onde électromagnétique. Ce type de capteur ne nécessite pas de circuit électronique de contrôle contrairement aux capteurs RFID. Le transducteur EM permet de garder en principe la majeure partie des avantages des capteurs passifs à onde acoustique (autonomie illimitée, tenue aux environnements sévères, complexité reportée au niveau du lecteur). Contrairement au capteur SAW, les dispositifs à transduction EM n’utilisent pas de conversion onde électromagnétique – onde acoustique. Par conséquence, cela permet d’éviter les pertes dues à cette conversion et aide à augmenter la distance d’interrogation du capteur. Un autre avantage des transducteurs électromagnétique concerne la plus grande latitude quant aux choix des matériaux qui doivent seulement présenter de faibles pertes diélectriques. Enfin le type de structure peut être beaucoup plus complexe (intégrant des MEMS, des liquides, …) ouvrant ainsi la voie à des applications plus variées.
Le premier capteur basé sur la transduction EM a été publié en 1998 par Yogi et al. [YOG-1998] et concerne un capteur d’humidité. Depuis, plusieurs autres types de capteurs ont été publiés et on peut citer les premières contributions à ces travaux : gaz [GRA-2004], contrainte [CHU-2005], pression [JAT-2007], température [MAH-2007], flux d’air [ZHA-2008] et fissure [MAT-2009]. Concernant les capteurs de température, deux principes ont été explorés dans la littérature.
Le premier principe utilise la déformation de bilames pour modifier le couplage électromagnétique dans une structure RF. En 2007, un capteur a été réalisé à base de poutres Or/Silicium couplés avec une cavité résonnante [MAH-2007]. Les performances obtenues montrent une variation de fréquence totale de 5,5% entre 11,34GHz et 12GHz pour une gamme totale de température de 66°C entre 24°C et 90°C. En 2009, l’Université de Purdue présente un dispositif basé sur le changement de la longueur électrique d’une antenne à fentes par un réseau de poutres Or/SiO2 [SCO-2009]. Le dispositif réalisé montre une variation de la fréquence de l’antenne de 19,45GHz à 19,30GHz pour un changement de la température entre 20°C et 300°, soit une sensibilité de 27,5ppm/°C. En 2010, le LAAS propose un dispositif formé par deux anneaux résonnants SRRs (Split-Ring Resonators) chargés par deux poutres bimorphes [THA-2010]. A la fréquence de 4GHz, les résultats de mesures montrent une sensibilité de 1,85MHz/°C ce qui correspond à une sensibilité de 500ppm/°C) [THA-2012]. En général, ce type de capteur présente de très bonnes performances (sensibilité, gamme de température, résolution…) mais la réalisation technologique est assez complexe, notamment pour la fabrication des micro-poutres.
Le second principe met en œuvre des matériaux dont la permittivité varie avec la température afin de modifier directement l’environnement électromagnétique du dispositif RF. En 2008 Ren et al présentent un dispositif utilisant un résonateur spirale planaire sur un substrat spécifique relié à une antenne [REN-2008]. Le concept de mesure de la quantité physique est basé sur la variation de la fréquence du résonateur du fait de la modification de la permittivité diélectrique de son substrat. Bien que non finalisé comme capteur ce dispositif ouvre le chemin pour un nouveau type de capteur de température. En 2011, la même équipe propose un résonateur volumique à base de SiCN métallisé couplé avec une ligne coplanaire [REN-2011]. Bien qu’aucun résultats expérimentaux en température soient montrés, ce capteur est présenté comme pouvant fonctionner jusqu’à 1500°C. En 2011 également, une capacité inter-digitée sur un matériau en céramique (BST) est utilisée par Mandel et al. pour la mesure de la température entre 40°C et 100°C [MAN-2011]. Ce capteur montre une sensibilité deΔC/C= 2000ppm/°C. Finalement, un capteur est présenté par Cheng et al. en 2012 pour la mesure de la température jusqu’à 1000°C [CHE-2012]. Ce dispositif est constitué d’une cavité résonnante en Alumine couplée à une antenne à fente. La fréquence de résonnance de la cellule varie de 0,4MHz/°C entre 5,12GHz et 4,75GHz quand la température varie de 50°C à 1000°C (sensibilité Δf/f=80ppm/°C). Généralement, ce type de capteur a l’avantage d’être simple à réaliser et peut supporter des températures extrêmes. Cependant, la sensibilité de ces dispositifs est assez faible ce qui les rend surtout intéressant pour des applications avec de larges gammes de température.
Dans le cadre de cette thèse, nous présentons un nouveau type de capteur de température basé sur la dilatation thermique d’un liquide dans un transducteur EM. Le couplage fluide / RF présente l’avantage d’être particulièrement important ce qui devrait permettre d’obtenir des capteurs avec une forte sensibilité. Ces travaux sont particulièrement originaux puisque c’est la première fois que ce type de couplage est utilisé pour réaliser un capteur passif. Nous avons ainsi étudié des dispositifs RF (autour de 30GHz) intégrant une micro-structure fluidique. La variation de la température entraine la dilation du fluide contenu dans un réservoir et génère ainsi le déplacement du liquide dans un micro-canal.
Dans le chapitre II, un fluide diélectrique est utilisé pour modifier une capacité planaire constituée par des électrodes en cuivre déposées sur un substrat en verre. Le fluide utilisé est de l’eau désionisée qui peut circuler dans un micro-canal en SU8. La variation d’impédance, obtenue lors de la progression du front d’eau dans le micro-canal, permet de modifier l’impédance de charge d’une antenne et module ainsi le niveau de l’écho RADAR.
Dans le chapitre III, nous avons étudié l’utilisation d’un fluide conducteur pour court-circuiter les deux brins d’une antenne dipôle lorsque le liquide se dilate. La structure utilisée est constituée d’un réseau d’antennes dont les deux brins sont court-circuités progressivement pour des températures différentes. On obtient ainsi une modulation de l’écho RADAR.
DIMENSIONNEMENT DE LA CAPACITE
Un exemple de SU-8, structurée par la méthode décrite précédemment, est montré sur la figure II- 19. Les flancs des micro-canaux sont bien définis et présentent un profil vertical.
La première étape du procédé consiste à laminer un scotch adhésif double face de 50μm d’épaisseur (Adhesives Research AR Clear 8932) sur un substrat de silicium. Puis un film de 150µm de PET, avec son film de protection positionné vers le haut, est laminé sur le silicium. Ce film de protection transparent, appelé « Liner » présente une épaisseur de 50 μm. Sa face intérieure a subi un traitement anti-adhérence qui permettra de peler la structure finale avant de transférer le capot en SU8 sur le canal microfluidique.
La deuxième étape consiste à déposer (à une vitesse de 3200 rpm pendant 30 secondes) une couche de SU-8 de 50µm d’épaisseur au dessus du liner. Les phases du recuit décrites précédemment sont utilisées en changeant seulement la durée du palier à 95°C (27 minutes). Un traitement au plasma d’oxygène (puissance du plasma 200W, durée 30s) est ensuite appliqué pour améliorer l’adhérence entre les deux couches de SU-8 (canal et capot).
La troisième étape consiste à rapporter la couche de SU-8 de 50 µm non-réticulée sur la structure ouverte des canaux par lamination. La couche de SU8 est préalablement pelée du support en silicium grâce au PET ayant subi un traitement anti-adhésif. Ceci permet d’obtenir un film de SU8 de 50µm d’épaisseur sur le liner de 50 µm d’épaisseur. La figure II.20 montre un schéma représentatif de cette étape de laminage. Le contrôle des paramètres de pression exercée par les rouleaux, de température des rouleaux et de vitesse de laminage permet d’assurer l’étanchéité de ces canalisations. Dans notre cas, le laminage se fait à la température de 65°C pour une pression de 2 Bar et une vitesse de 1m/min.
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Table des matières
CHAPITRE I : INTRODUCTION ET PROBLEMATIQUE
I. INTRODUCTION
II. CAPTEURS SANS FIL ACTIFS/PASSIFS
III.LES CAPTEURS RFID
III.1. Les Capteurs RFID à couplage inductif
III.2. Les Capteurs RFID UHF et Micro-ondes
IV. LES CAPTEURS PASSIFS A ONDE ACOUSTIQUE
V. LES CAPTEURS A TRANSDUCTION ELECTROMAGNETIQUE
VI. REFERENCE
CHAPITRE II : CAPACITE PLANAIRE MICRO-FLUIDIQUE POUR LA DETECTION SANS FIL DE LA TEMPERATURE
I. INTRODUCTION
II. CONCEPTION DU TRANSDUCTEUR MICRO-FLUIDIQUE
II.1. Principe de fonctionnement
II.2. Dimensionnement de la capacité
II.3. Dimensionnement de la structure microfluidique
II.4. Simulation EM de la structure complète.
III.FABRICATION DU TRANSDUCTEUR MICRO-FLUIDIQUE
III.1. Réalisation des masques
III.2. Description du procédé de fabrication
III.3. Structuration des électrodes de la capacité
III.4. Fabrication du canal micro-fluidique
III.4.1. Présentation de la SU-8
III.4.2. Structuration du canal micro-fluidique
III.4.3. Capotage du canal micro-fluidique
III.5. Remplissage de l’eau dans le canal
IV. CARACTERISATION DES DISPOSITIFS
IV.1. Mesures de dilatation thermique de l’eau dans les canaux
IV.1.1. Description du banc de test
IV.1.2. Résultats expérimentaux
IV.2. Caractérisation de l’impédance
IV.2.1. Mesure des paramètres S
IV.2.2. Extraction de la capacité
V. INTEGRATION DU TRANSDUCTEUR
V.1.Mesure de l’écho radar
V.2. Intégration dans une antenne dipôle
VI. CONCLUSION
VII. REFERENCES
CHAPITRE III: RESEAU DE DIPOLES RECONFIGURABLES MICRO-FLUIDIQUE9
I. INTRODUCTION
II. PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT ET CHOIX TECHNIQUES
III. RESEAU DE DIPOLES PLANAIRES «IDEAL»
III.1. Conception et Simulation EM
III.2. Fabrication des structures
III.3. Caractérisation
IV. RESEAU DE DIPOLES PLANAIRES «REEL»
IV.1. Conception et Simulation
IV.1.1. Description de la structure
IV.1.2. Dimensionnement de la structure
IV.1.3. Simulations de la structure
IV.2. Fabrication de la Structure…..
IV.2.1. Procédé Technologique de Fabrication
IV.2.2. Galinstan
IV.2.3. Remplissage des structures micro-fluidiques
IV.3. Résultats de mesure radar
V. AMELIORATION DES PERFORMANCES DU CAPTEUR
V.1. Interrogation à deux fréquences
V.2. Interrogation du second mode à 30 GHz
VI. CONCLUSION
VII. REFERENCES
CONCLUSION GENERALE
RESUME
LISTE DES PUBLICATIONS
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